目前，重复定位精度达到±50nm的超精密气浮平台研发成功了，对于半导体晶圆的制造无疑是个好消息，纳米级气浮平台在半导体制造中，应用在晶圆切割、检测、封装等工艺环节，达到了±50nm超高精的重复定位精度，是晶圆制造中难度比较高的底层技术。

　　气浮平台是由空气轴承结合电控元件构成的精密位移平台，主要构成部分包括底座、导轨、气浮滑块和顶板等，是作为精密定位的部件，承载需要作精密定位的零件或工具。它采用直线电机驱动，定位平台的悬浮工作原理是在供气孔道中通入一定气压的压缩空气，气体经过节流孔在气浮滑块与导轨、底座的相对面中形成10μm左右的气膜并产生一定的悬浮力，气膜支撑气浮滑块与顶板组成的滑台作一维直线运动，当悬浮力与实验平台重量平衡时，这个运动平台处于稳定悬浮状态。

　　相对于传统机械接触式滑轨，气浮导轨靠气体静压将气浮模块支撑起来，而气体与气浮模块之间的摩擦力几乎为零，可以忽略不计。另外，气浮模块和气浮导轨之间具有一定弹性，可降低对气浮导轨表面的加工精度，方便加工制造。

　　重复定位精度达±50nm的气浮平台采用“济南青”石料经精密机械加工，结构精密，质地均匀坚硬，耐磨性强，形态极为稳定，强度大，硬度高，无磁性反应，无塑性变形，是理想的基准面，可以获得高而稳定的精度。

　　它的的特点和背景介绍

　　产品特点：

　　1.非接触式气浮结构。

　　2.高直线、平面度指标。

　　3.精密光栅尺闭环反馈。

　　4.外观结构紧凑。

　　纳米级气浮平台晶圆检测系统解决方案：

　　需要精密定位的工艺环节，都需要高精度的电机驱动控制和导轨。晶圆切割要在极短的曝光时间内完美定位，就需要靠精密机械运作和实时的定位校正，纳米级超精密气浮平台借由非接触式气浮导轨结构、直线电机驱动的移动方式，高平面度指标保障了理想的切割直线，同时可以实现高动态响应和快速位置整定，能达成极高速的运动和持久稳定的运作，在半导体晶圆切割等精密应用中，是理想选择。

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